[实用新型]一种准单片集成氮化镓高功率放大器有效
| 申请号： | 201821335843.7 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN208572044U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 武春风;姜鑫;姚昌文;白明顺;蒲季春;刘晓;夏冬;蒋一帆 | 申请（专利权）人： | 成都航天科工微电子系统研究院有限公司;南京米乐为微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/213 | 分类号： | H03F3/213;H03F1/02;G06F17/50 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 王华 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种准单片集成氮化镓高功率放大器，包括：砷化镓驱动芯片、氮化镓有源管芯芯片、砷化镓无源功率合成芯片、直流偏置以及控制补偿电路和散热片。本发明可以在保证性能的情况下，极大的降低氮化镓功率放大器的成本，提高氮化镓功率放大器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓 高功率放大器 功率放大器 单片集成 砷化镓 芯片 控制补偿电路 本实用新型 功率合成 驱动芯片 直流偏置 散热片 无源 源管 保证 | ||
【主权项】：
1.一种准单片集成氮化镓高功率放大器，其特征在于，包括：砷化镓驱动芯片、氮化镓有源管芯芯片、砷化镓无源功率合成芯片、直流偏置以及控制补偿电路和散热片；砷化镓驱动芯片左边通过金丝键合与输入微带线相连，右边通过金丝键合与氮化镓有源管芯芯片相连；砷化镓无源功率合成芯片左边通过金丝键合与氮化镓有源管芯芯片相连，右侧与输出微带线相连；氮化镓有源管芯芯片位于放大器的中间，通过金丝键合与砷化镓驱动芯片和砷化镓功率合成芯片相连；直流偏置以及控制补偿电路分别与砷化镓驱动芯片和砷化镓无源功率合成芯片相连；三个芯片皆通过共晶焊烧结在同一块散热片之上。
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