[实用新型]太阳电池制造用立式HWCVD-PVD一体化设备有效
| 申请号： | 201821326561.0 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN208917302U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;周浪 | 申请（专利权）人： | 黄海宾 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C16/54;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌朗科知识产权代理事务所(普通合伙) 36134 | 代理人： | 郭毅力 |
| 地址： | 330100 江西省南昌市新建区长*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种太阳电池制造用立式HWCVD‑PVD一体化设备，包括本征非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体I、掺杂非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体I、过渡腔体I、本征非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体II、掺杂非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体II、过渡腔体II、TCO薄膜沉积的PVD腔体等，各腔体之间依次采用真空锁结构连接；所用载板采用双载板设计，在装载硅片的位置采用镂空设计。本实用新型可使晶体硅异质结太阳电池两面非晶硅和TCO沉积的全过程封闭，减少了氧化和污染；省却了两套装备方案中的部分真空腔体、传递和下上料装置，设备更简单，工序和工时缩短；可实现硅片的两面镀膜，避免PECVD镀膜过程中的绕镀问题，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 腔体 沉积 本征非晶硅薄膜 掺杂非晶硅薄膜 太阳电池制造 一体化设备 过渡腔体 硅片 载板 异质结太阳电池 本实用新型 结构连接 上料装置 生产效率 真空腔体 镂空 非晶硅 晶体硅 真空锁 镀膜 两套 装载 传递 封闭 污染 | ||
【主权项】：
1.一种太阳电池制造用立式HWCVD‑PVD一体化设备，其特征是包括本征非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体I、掺杂非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体I、过渡腔体I、本征非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体II、掺杂非晶硅薄膜沉积的HWCVD腔体II、过渡腔体II、TCO薄膜沉积的PVD腔体，各腔体之间依次采用真空锁结构连接；所述设备采用双载板设计，在装载硅片的位置采用镂空设计。
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