[实用新型]一种逆变电路有效
| 申请号： | 201821195055.2 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN208862766U | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李清明;陈前;欧勇江 | 申请（专利权）人： | 广州穗顿电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/537 | 分类号： | H02M7/537 |
| 代理公司： | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人： | 陈世洪 |
| 地址： | 510000 广东省广州市天河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种逆变电路，包括第一负载晶体管、第一驱动晶体管、第二负载晶体管、第二驱动晶体管和输出电感，第一负载晶体管和第二负载晶体管为N型MOS管，第一驱动晶体管和第二驱动晶体管为P型MOS管，第一驱动晶体管和第二驱动晶体管的沟道区域设置有空间电荷捕捉单元。在驱动晶体管的沟道区域设置有空间电荷捕捉单元，能够捕获驱动晶体管空间电荷通过捕获沟道区中的电荷并控制寄生电容，可以将寄生电容的功耗降低到零，空间电荷捕捉单元使得空穴电流可以作为栅电压，可以控制并且在低温下发生的与静电现象不同的沟道电流的阻塞现象。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动晶体管 负载晶体管 空间电荷 捕捉单元 沟道区域 寄生电容 逆变电路 捕获 本实用新型 功耗降低 沟道电流 静电现象 空穴电流 输出电感 沟道区 栅电压 电荷 阻塞 | ||
【主权项】：
1.一种逆变电路，其特征在于：包括第一负载晶体管(1)、第一驱动晶体管(2)、第二负载晶体管(3)、第二驱动晶体管(4)和输出电感(5)，所述第一负载晶体管(1)和第二负载晶体管(3)为N沟道MOS场效应管，第一驱动晶体管(2)和第二驱动晶体管(4)为P沟道MOS场效应管，所述第一负载晶体管(1)和第一驱动晶体管(2)的栅极共同连接第一输入电压，第一负载晶体管(1)的漏极连接电源正极，第一负载晶体管(1)的源极连接第一驱动晶体管(2)的漏极和输出电感(5)的第一端，第一驱动晶体管(2)的源极连接地，所述第二负载晶体管(3)和第二驱动晶体管(4)的栅极共同连接第二输入电压，第二负载晶体管(3)的漏极连接电源正极，第二负载晶体管(3)的源极连接第二驱动晶体管(4)的漏极和输出电感(5)的第二端，第二驱动晶体管(4)的源极连接地，所述第一驱动晶体管(2)和第二驱动晶体管(4)的沟道区域设置有空间电荷捕捉单元(6)。
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