[实用新型]失调电压自适应数字校准型灵敏放大器

摘要

本实用新型公开了一种失调电压自适应数字校准型灵敏放大器，是一种可以有效降低失调电压的灵敏放大器电路结构，该结构利用简单的外围电路实现灵敏放大器失调电压的校准补偿以及补偿状态锁存操作，达到了大幅度降低失调电压的目的；同时由于失调电压的降低，有效的提升了静态随机存储器读取电路的设计裕度，进而降低了单元读取时产生的功耗消耗，并提升了静态随机存储器的数据读取速度。

主权项

1.一种失调电压自适应数字校准型灵敏放大器，其特征在于，包括：相互连接的灵敏放大器主体部分、校准锁存电路，以及参考电压生成电路；其中，所述校准锁存电路包括：十个PMOS晶体管、四个NMOS晶体管、一个或门以及八个反相器；十个PMOS晶体管依次记为P9～P18，四个NMOS晶体管依次记为N6～N9，八个反相器依次记为I1～I8，或门记为OR；其中：PMOS晶体管P9源极与VDD连接；PMOS晶体管P10栅极与输出节点OUT连接；PMOS晶体管P10源极与PMOS晶体管P9漏极连接；PMOS晶体管P11栅极与校准信号CK连接；PMOS晶体管P11源极与PMOS晶体管P10漏极连接；PMOS晶体管P11漏极与反相器I1输出连接，反相器I1输出记为节点A；反相器I1输出与反相器I2输入连接；反相器I2输出与反相器I1输入连接，反相器I1输入记为节点AB；NMOS晶体管N6栅极与重置信号RSET连接；NMOS晶体管N6漏极与PMOS晶体管P11漏极连接；NMOS晶体管N6源极与GND连接；PMOS晶体管P12源极与VDD连接；PMOS晶体管P13栅极与输出节点OUTB连接；PMOS晶体管P13源极与PMOS晶体管P12漏极连接；PMOS晶体管P14栅极与校准信号CK连接；PMOS晶体管P14源极与PMOS晶体管P13漏极连接；PMOS晶体管P14漏极与反相器I3输入连接，反相器I3输入记为节点B；反相器I3输出与反相器I4输入连接，反相器I4输入记为节点BB；反相器I4输出与反相器I3输入连接；NMOS晶体管N7栅极与重置信号RSET连接；NMOS晶体管N7漏极与PMOS晶体管P14漏极连接；NMOS晶体管N7源极与GND连接；PMOS晶体管P15源极与VDD连接；PMOS晶体管P15栅极与节点AB连接；PMOS晶体管P15漏极与PMOS晶体管P16源极连接；PMOS晶体管P16栅极和或门OR输出连接；PMOS晶体管P16漏极与反相器I5输出连接，反相器I5输出记为节点C；反相器I5输出与反相器I6输入连接；反相器I6输出与反相器I5输入连接反相器I5输入记为节点CB；节点C和或门OR输入连接；NMOS晶体管N8栅极与重置信号RSET连接；NMOS晶体管N8漏极与PMOS晶体管P16漏极连接；NMOS晶体管N8源极与GND连接；PMOS晶体管P17源极与VDD连接；PMOS晶体管P17栅极与节点BB连接；PMOS晶体管P17漏极与PMOS晶体管P18源极连接；PMOS晶体管P18栅极和或门OR输出连接；PMOS晶体管P18漏极与反相器I7输入连接，反相器I7输入记为节点D；反相器I7输入与反相器I8输出连接；反相器I7输出与反相器I8输入连接，反相器I8输入记为DB；节点D和或门OR输入连接；NMOS晶体管N9栅极与重置信号RSET连接；NMOS晶体管N9漏极与PMOS晶体管P18漏极连接；NMOS晶体管N9源极与GND连接。