[实用新型]可控硅阴极版图有效
| 申请号： | 201820335799.3 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN207818575U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 耿开远;王勇 | 申请（专利权）人： | 济宁东方芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/08 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 卢登涛 |
| 地址： | 272100 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种可控硅阴极版图，属于半导体技术领域，包括正面阴极版和背面阴极版，正面阴极版和背面阴极版相配合，正面阴极版上设有正面控制极P型区、正面控制极N型区、正面主N型区和正面主P型区，背面阴极版上设有背面P型区和背面N型区，其中背面P型区对应正面主N型区，背面N型区对应正面主P型区、正面控制极N型区和正面控制极P型区，背面N型区的外侧设有扩展N型区，扩展N型区包括扩展N型Ⅰ区和扩展N型Ⅱ区，通过调整光刻版的结构，实现触发象限间差异性减小，解决现有技术中出现的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 控制极 背面阴极版 正面阴极版 背面 可控硅阴极 背面P型区 半导体技术领域 本实用新型 差异性 光刻版 触发 减小 象限 配合 | ||
【主权项】：
1.一种可控硅阴极版图，包括正面阴极版(5)和背面阴极版(1)，正面阴极版(5)和背面阴极版(1)相配合，其特征在于：所述的正面阴极版(5)上设有正面控制极P型区(7)、正面控制极N型区(8)、正面主N型区(6)和正面主P型区(9)，背面阴极版(1)上设有背面P型区(3)和背面N型区(4)，其中背面P型区(3)对应正面主N型区(6)，背面N型区(4)对应正面主P型区(9)、正面控制极N型区(8)和正面控制极P型区(7)，背面N型区(4)的外侧设有扩展N型区。
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