[实用新型]Ti/Ni/Ag材料体系的基片集成波导结构有效
| 申请号： | 201820285057.4 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN207938784U | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 高杨;文数文;李君儒;张大鹏;许夏茜;刘婷婷;郭辉辉;韩宾 | 申请（专利权）人： | 西南科技大学 |
| 主分类号： | H01P3/08 | 分类号： | H01P3/08;H01P1/203;H01P5/18;H01P7/08;H01P5/16;H01P1/387;H01Q13/10;H01P11/00;H01L23/66 |
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| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了Ti/Ni/Ag材料体系的基片集成波导结构，由通孔、W覆盖层、钝化层、正面Ti/Ni/Ag金属叠层、Si衬底、背面金属叠层构成。其中，正面Ti/Ni/Ag金属叠层具有图形化；Si衬底为高阻Si。本实用新型的基片集成波导结构可以避免正面金属为Au时对IC工艺线的污染问题以及正面金属为Cu时带来的工艺过程复杂问题，能满足制造过程与IC工艺的兼容从而大大降低了批量生产的成本，并缩短了生产周期。同时在该材料体系中引入比Au和Cu具有更低电阻率的Ag，使基片集成波导结构具有更小的传输损耗，即器件具有更小的插入损耗，从而提高了器件射频性能。此外，加入钝化层可以有效防止Ag的电迁移。最后，其打孔工艺不完全将衬底打穿，避免了在后面IC工艺中衬底吸附漏真空的问题。通过这种简洁的方案很好的解决了IC工艺中高深宽比通孔刻蚀的难题，彻底解决工艺兼容性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基片集成波导结构 衬底 材料体系 金属叠层 本实用新型 钝化层 通孔 生产周期 金属 工艺兼容性 插入损耗 传输损耗 打孔工艺 低电阻率 复杂问题 高深宽比 工艺过程 射频性能 污染问题 制造过程 电迁移 覆盖层 图形化 高阻 刻蚀 吸附 背面 兼容 引入 生产 | ||
【主权项】：
1.Ti/Ni/Ag材料体系的基片集成波导结构，其特征在于：包括通孔、W覆盖层、钝化层、正面Ti/Ni/Ag金属叠层、Si衬底、背面金属叠层构成；其中，正面Ti/Ni/Ag金属叠层具有图形化；Si衬底为高阻Si。
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