[实用新型]一种用于高分辨率AMOLED的像素补偿电路有效

专利信息
申请号: 201820131445.7 申请日: 2018-01-26
公开(公告)号: CN207966466U 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 陈国狮 申请(专利权)人: 深圳市帝晶光电科技有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518103 广东省深圳市宝安区福永街道凤凰第三工业区A5、A6、A3幢,在福永*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种用于高分辨率AMOLED的像素补偿电路,包括像素单元电路、参考电流产生电路和读出电路,所述像素单元电路包括信号输入管和信号导出管,所述信号输入管的源极分别连接有第三场效应管的漏极和第五场效应管漏极,所述第三场效应管和第五场效应管的栅极节点分别连接有第四场效应管的源极和第六场效应管的漏极,所述第四场效应管的源极和第六场效应管的漏极连接节点与信号导出管的漏极相连接,所述信号导出管的源极连接有开关管的栅极,该像素补偿电路可通过PMOS传输管读出OLED阳极电压的变化值,得到OLED的衰退信息,通过外部的数字补偿方式对OLED衰退做出补偿,最大程度地还原发光亮度。
搜索关键词: 场效应管 漏极 像素补偿 导出管 源极 像素单元电路 电路 高分辨率 信号输入 参考电流产生电路 场效应管漏极 本实用新型 最大程度地 衰退 读出电路 连接节点 数字补偿 阳极电压 源极连接 栅极节点 开关管 读出 还原 发光 外部
【主权项】:
1.一种用于高分辨率AMOLED的像素补偿电路,包括像素单元电路(SRAM)、参考电流产生电路(I)和读出电路(R),其特征在于:所述像素单元电路(SRAM)的电路端与参考电流产生电路(I)相连接,所述像素单元电路(SRAM)的电压端与读出电路(R)相连接,所述像素单元电路(SRAM)包括信号输入管(T1)和信号导出管(T2),所述信号输入管(T1)的栅极接收SEL信号,所述信号输入管(T1)的漏极通过稳压管(D)接收数据信号,所述信号输入管(T1)的源极分别连接有第三场效应管(T3)的漏极和第五场效应管(T5)漏极,所述第三场效应管(T3)和第五场效应管(T5)的栅极节点分别连接有第四场效应管(T4)的源极和第六场效应管(T6)的漏极,所述第四场效应管(T4)和第六场效应管(T6)的栅极与信号输入管(T1)的源极相连接;所述第四场效应管(T4)的源极和第六场效应管(T6)的漏极连接节点与信号导出管(T2)的漏极相连接,所述信号导出管(T2)的栅极与SEL信号线相连接,所述信号导出管(T2)的源极连接有开关管(T8)的栅极,所述开关管(T8)的源极连接有发光二极管(LED),所述发光二极管(LED)的负极端连接有负电源(Vcom),所述开关管(T8)的源极还连接有读出电路内部的读出管(T7)的漏极,所述读出管(T7)的栅极连接有读出信号线,所述读出管(T7)的源极连接有读出电压管(Vread)。
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