[实用新型]一种用于高分辨率AMOLED的像素补偿电路有效

专利信息
申请号: 201820131445.7 申请日: 2018-01-26
公开(公告)号: CN207966466U 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 陈国狮 申请(专利权)人: 深圳市帝晶光电科技有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518103 广东省深圳市宝安区福永街道凤凰第三工业区A5、A6、A3幢,在福永*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 场效应管 漏极 像素补偿 导出管 源极 像素单元电路 电路 高分辨率 信号输入 参考电流产生电路 场效应管漏极 本实用新型 最大程度地 衰退 读出电路 连接节点 数字补偿 阳极电压 源极连接 栅极节点 开关管 读出 还原 发光 外部
【说明书】:

本实用新型公开了一种用于高分辨率AMOLED的像素补偿电路,包括像素单元电路、参考电流产生电路和读出电路,所述像素单元电路包括信号输入管和信号导出管,所述信号输入管的源极分别连接有第三场效应管的漏极和第五场效应管漏极,所述第三场效应管和第五场效应管的栅极节点分别连接有第四场效应管的源极和第六场效应管的漏极,所述第四场效应管的源极和第六场效应管的漏极连接节点与信号导出管的漏极相连接,所述信号导出管的源极连接有开关管的栅极,该像素补偿电路可通过PMOS传输管读出OLED阳极电压的变化值,得到OLED的衰退信息,通过外部的数字补偿方式对OLED衰退做出补偿,最大程度地还原发光亮度。

技术领域

本实用新型涉及像素补偿电路领域,具体为一种用于高分辨率AMOLED的像素补偿电路。

背景技术

AMOLED显示器具有视角大、响应速度快、功耗低、固态显示等优点,成为了新一代显示技术研究热点,有着广阔的市场前景,但是现有的用于高分辨率AMOLED的像素补偿电路还存在以下不足之处:

例如,申请号为201410305376.3,专利名称为一种像素补偿电路的发明专利:

其第一晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、及开关单元是用以接收一开关信号,并根据开关信号使像素补偿电路可自动补偿晶体管的临界电压,并使发光二极管的驱动电流不受晶体管的临界电压或发光二极管端所产生的压降所影响。

但是,现有的用于高分辨率AMOLED的像素补偿电路的方法存在以下缺陷:

(1)现有的电流型PWM像素驱动补偿电路,仅对电流衰退进行了补偿,而不能补偿亮度衰退;

(2)传统的像素补偿电路,采用电流编程型像素电路,该像素电路能够补偿驱动TFT阈值电压的非均匀性,但是该电流编程型像素电路的充放电时间较长,尤其是低灰阶显示时,较长的充放电时间会使数据写入不充分,影响正常显示。

发明内容

为了克服现有技术方案的不足,本实用新型提供一种用于高分辨率AMOLED的像素补偿电路,能有效的解决背景技术提出的问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种用于高分辨率AMOLED的像素补偿电路,包括像素单元电路、参考电流产生电路和读出电路,所述像素单元电路的电路端与参考电流产生电路相连接,所述像素单元电路的电压端与读出电路相连接,所述像素单元电路包括信号输入管和信号导出管,所述信号输入管的栅极接收SEL信号,所述信号输入管的漏极通过稳压管接收数据信号,所述信号输入管的源极分别连接有第三场效应管的漏极和第五场效应管漏极,所述第三场效应管和第五场效应管的栅极节点分别连接有第四场效应管的源极和第六场效应管的漏极,所述第四场效应管和第六场效应管的栅极与信号输入管的源极相连接;

所述第四场效应管的源极和第六场效应管的漏极连接节点与信号导出管的漏极相连接,所述信号导出管的栅极与SEL信号线相连接,所述信号导出管的源极连接有开关管的栅极,所述开关管的源极连接有发光二极管,所述发光二极管的负极端连接有负电源,所述开关管的源极还连接有读出电路内部的读出管的漏极,所述读出管的栅极连接有读出信号线,所述读出管的源极连接有读出电压管。

进一步地,所述开关管的漏极连接有驱动管的漏极,所述驱动管的源极连接有正向电源,所述驱动管的栅极与参考电流产生电路相连接。

进一步地,所述第五场效应管的源极和第六场效应管的源极直接接地。

进一步地,所述第三场效应管的源极和第四场效应管的漏极连接有正向电源。

进一步地,所述开关管的栅极通过信号信与第三场效应管和第五场效应管的栅极节点相连接。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

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