[实用新型]一种晶圆基座有效
| 申请号： | 201820097230.8 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN207781567U | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 邵亚飞;浦斌;程清 | 申请（专利权）人： | 昆山维信诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 许志勇 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种晶圆基座，该晶圆基座包括：基座本体；所述基座本体为长方体；所述基座本体的一个端面上设置有凹槽；所述端面的横截面形状为正方形，所述凹槽的底面为圆形，且所述凹槽与所述基座本体的长方体侧面设有缺口。制作本申请中的晶圆基座，可以降低晶圆基座的破损率。 | ||
| 搜索关键词： | 基座本体 晶圆基座 种晶 横截面形状 破损率 底面 申请 侧面 制作 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆基座，其特征在于，所述晶圆基座包括：基座本体；所述基座本体为长方体；所述基座本体的一个端面上设置有凹槽；所述端面的横截面形状为正方形，所述凹槽的底面为圆形，且所述凹槽与所述基座本体的长方体侧面设有缺口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
