[实用新型]一种抗辐照电荷泵电路有效
申请号: | 201820075930.7 | 申请日: | 2018-01-17 |
公开(公告)号: | CN207490902U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 赵静;李云;连颖;张雨;田浩;胡宏伟;吴和然;杨雪;刘智东 | 申请(专利权)人: | 成都天诚慧芯科技有限公司 |
主分类号: | H03L7/089 | 分类号: | H03L7/089;H03L7/107;H03L7/093 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 郭彩红 |
地址: | 610041 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种抗辐照电荷泵电路,P1 MOS电路采用两个串联的NMOS和两个串联的PMOS;N4 MOS电路采用两个串联的NMOS和两个串联的PMOS。双CMOS管串联的结构,相比传统的单管结构,两个CMOS管串联可以有效的阻止由辐照效应引起的干扰向输出传递,有效的抑制了辐照效应造成电荷泵功能异常的概率。 | ||
搜索关键词: | 串联 电荷泵电路 辐照 辐照效应 本实用新型 单管结构 传统的 电荷泵 输出 传递 概率 | ||
【主权项】:
一种抗辐照电荷泵电路,包括无源器件组合M1、第一运算放大器M2、第二运算放大器M3、第一电阻组合R1、第二电阻组合R2、第三电阻组合R3、第四电阻组合R4、第五电阻组合R5、第六电阻组合R6、第七电阻组合R7、P1 MOS电路、P2 MOS电路、P3 MOS电路、N1 MOS电路、N2 MOS电路、N3 MOS电路、N4 MOS电路和N5 MOS电路;P1 MOS电路分别与电源VDD、地GND和P3 MOS电路相连;P2 MOS电路分别与电源VDD、UP开关信号输入端、DOWN开关信号输入端和P4 MOS电路相连;P3 MOS电路又分别与无源器件组合M1的一端、第一电阻组合R1的一端和P4 MOS电路相连;所述P4 MOS电路又与第二电阻组合R2的一端相连;所述第二电阻组合R2的另一端与第四电阻组合R4的一端相连,且连接Vc控制信号输出端;所述无源器件组合M1的另一端连接于P3 MOS电路和P4 MOS电路之间且与第一运算放大器M2的输出端相连;第一电阻组合R1的另一端又分别与第三电阻组合R3的一端和第一运算放大器M2的一输入端相连;所述第一运算放大器M2的另一输入端连接于第二电阻组合R2和第四电阻组合R4之间;所述第三电阻组合R3的另一端与N2 MOS电路相连;所述N2 MOS电路又与N3 MOS电路相连,且通过第六电阻组合R6与N4 MOS电路相连;所述N3 MOS电路又通过第七电阻组合R7与N5 MOS电路相连;所述N5 MOS电路又分别与地GND、UP开关信号输入端和DOWN开关信号输入端相连;所述N4 MOS电路又分别与电源VDD和第GND相连;所述N1电阻组合通过第五电阻组合R5与Iref参考电流信号输入端相连,又分别与电源VDD和第GND相连;所述第二运算放大器M3的两个输入端,一个与Iref参考电流信号输入端相连,另一个连接于N2 MOS电路和第六电阻组合R6之间,输出端连接于N2 MOS电路和N3 MOS电路之间;其特征在于:所述P1 MOS电路采用两个串联的NMOS和两个串联的PMOS;N4 MOS电路采用两个串联的NMOS和两个串联的PMOS;所述P1 MOS电路中,两个串联的NMOS,两个栅极互连连接VDD,非互连的漏极连接电源VDD,非互连的源极与P3 MOS电路相连;两个串联的PMOS,两个栅极互连连接地GND,非互连的源极连接电源VDD,非互连的漏极与两个串联的NMOS中非互连的源极相连;所述N4 MOS电路中,两个串联的NMOS,两个栅极互连连接VDD,非互连的源极连接地GND,非互连的漏极与第六电阻组合R6相连;两个串联的PMOS,两个栅极互连连接地GND,非互连的漏极连接地GND,非互连的源极与两个串联的NMOS中非互连的漏极相连。
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