[实用新型]GaN增强型HEMT和增强型GaN FET有效
| 申请号： | 201820033388.9 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN208315552U | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 阿布舍克·班纳吉;皮特·莫昂;戈登·M·格里芙尼亚 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王娜丽;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及GaN增强型HEMT和增强型GaN FET。在一个实施方案中，III‑V高电子迁移率半导体器件包括：包括GaN层的半导体衬底、位于该GaN层上的AlGaN层，其中在该GaN层与该AlGaN层的界面附近形成2DEG。绝缘体可以位于该AlGaN层的至少第一部分上，并且P型GaN栅极区域可以覆盖该AlGaN层的第二部分，其中该2DEG不位于该P型GaN栅极区域下面。 | ||
| 搜索关键词： | 增强型 栅极区域 绝缘体 半导体器件 本实用新型 电子迁移率 衬底 半导体 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种GaN增强型HEMT，包括：具有GaN沟道层的半导体衬底；具有第一铝含量的AlGaN阻挡层，所述AlGaN阻挡层位于所述GaN沟道层上并且在所述GaN沟道层与所述AlGaN阻挡层之间的界面附近形成2DEG区域；位于所述AlGaN阻挡层上的AlGaN扩散缓冲层，所述AlGaN扩散缓冲层具有随着远离所述AlGaN阻挡层的距离而减小的第二铝含量，其中GaN含量随着远离所述AlGaN阻挡层的所述距离而增加；和位于所述AlGaN扩散缓冲层的第一部分上的P型GaN栅极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820033388.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
