[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 201820026045.X | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN207939628U | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 吴敏硕 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H04N5/369 | 分类号： | H04N5/369;H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/225 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及图像传感器。该图像传感器可包括：第一光电二极管；第二光电二极管，该第二光电二极管与第一光电二极管相邻；微透镜，该微透镜覆盖第一光电二极管和第二光电二极管；第一浮动扩散区；第二浮动扩散区；第一转移晶体管，该第一转移晶体管被配置为将电荷从第一光电二极管转移到第一浮动扩散区；以及第二转移晶体管，该第二转移晶体管被配置为将电荷从第二光电二极管转移到第二浮动扩散区。第二转移晶体管可被配置为在第一转移晶体管将电荷从第一光电二极管转移到第一浮动扩散区的同时将电荷从第二光电二极管转移到第二浮动扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 浮动扩散区 转移晶体管 电荷 图像传感器 微透镜 配置 本实用新型 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：第一光电二极管；第二光电二极管，所述第二光电二极管与所述第一光电二极管相邻；微透镜，所述微透镜覆盖所述第一光电二极管和所述第二光电二极管；第一浮动扩散区；第二浮动扩散区；第一转移晶体管，所述第一转移晶体管被配置为将电荷从所述第一光电二极管转移到所述第一浮动扩散区；和第二转移晶体管，所述第二转移晶体管被配置为将电荷从所述第二光电二极管转移到所述第二浮动扩散区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820026045.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种红外热成像系统
- 下一篇：一种六合一的控制电路板
