[实用新型]一种暗场掩模板有效
| 申请号： | 201820003634.6 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN207992678U | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 于江勇;廖翌如;赵磊;刘园园 | 申请（专利权）人： | 北京宇翔电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种暗场掩模板，该暗场掩模板包括：观察区、粗对准区和精确对准区，其中，观察区内部被切割出矩形的图形区，用于透过其观察待光刻晶圆上的图形，并用于寻找待光刻晶圆上的用于粗对准的标识和用于精确对准的标识；粗对准区，包括用于粗对准的图形，用于粗对准的图形布置为与待光刻晶圆上的、用于粗对准的标识相对应；以及精确对准区，包括用于精确对准的图形，用于精确对准的图形布置为与待光刻晶圆上的、用于精确对准的标识相对应。 | ||
| 搜索关键词： | 粗对准 光刻 晶圆 对准 掩模板 暗场 图形布置 对准区 观察区 本实用新型 图形区 切割 观察 | ||
【主权项】：
1.一种暗场掩模板，其特征在于，所述掩模板包括：观察区，布置为镂空状，用于透过其观察待光刻晶圆上的图形，并用于寻找所述待光刻晶圆上的用于粗对准的标识和用于精确对准的标识；粗对准区，包括用于粗对准的图形，所述用于粗对准的图形布置为与所述待光刻晶圆上的、用于粗对准的标识相对应；以及精确对准区，包括用于精确对准的图形，所述用于精确对准的图形布置为与所述待光刻晶圆上的、用于精确对准的标识相对应。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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