[发明专利]辅助写入电路、写入电路及方法、静态存储器及电子设备有效
| 申请号： | 201811645359.9 | 申请日： | 2018-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN109712651B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 姚其爽 | 申请（专利权）人： | 成都海光微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王艳芬 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种辅助写入电路、写入电路及方法、静态存储器及电子设备。辅助写入电路包括：至少一个晶体管电容；固定模块，用于在辅助写操作阶段对下拉位线采用线耦合电容的方式产生耦合电容值，以在下拉位线上产生固定耦合负电压；可调模块用于在辅助写操作阶段选择性地在至少一个晶体管电容中选择晶体管电容与下拉位线相连，以在下拉位线上再叠加产生可调耦合负电压。本发明不仅可以对生产后的产品进行二次调节来满足数据写入的需求，从而提高产品良率；而且还可以减少辅助写入电路的占用面积。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 写入 电路 方法 静态 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种辅助写入电路，用于向存储单元阵列的下拉位线提供辅助负电压，其特征在于，包括：至少一个晶体管电容；固定模块，用于在辅助写操作阶段对所述下拉位线采用线耦合电容的方式产生耦合电容值，以在所述下拉位线上产生固定耦合负电压；以及可调模块，用于在辅助写操作阶段选择性地在至少一个晶体管电容中选择所述晶体管电容与所述下拉位线相连，以在所述下拉位线上再叠加产生可调耦合负电压。
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