[发明专利]一种磁屏蔽开环电流传感器在审
| 申请号： | 201811639673.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109725187A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王志强;宋小雨 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R15/20 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁屏蔽开环电流传感器，包括聚磁环；激励电流导线，所述激励电流导线穿过聚磁环环内空心区域；磁环气隙，所述磁环气隙设置在聚磁环的环身上；传感器芯片，所述传感器芯片设置在磁环气隙的中心点向着远离激励电流导线方向的延长线上并且该延长线平行于磁环气隙的上下两表面；软磁屏蔽层，所述软磁屏蔽层设置在传感器芯片的正上方。本发明利用远离磁环气隙处的磁场衰减作用特性配合软磁屏蔽层的磁场屏蔽作用特性，使得较大磁感应强度线性降低到传感器芯片检测范围内，达到检测大电流的目的；利用磁屏蔽结构GMR开环电流传感器具有较好的灵敏度和磁滞且开环结构降低了功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 磁环 传感器芯片 气隙 开环电流传感器 软磁屏蔽层 激励电流 磁屏蔽 聚磁环 延长线 磁屏蔽结构 磁场屏蔽 导线穿过 导线方向 开环结构 空心区域 衰减作用 特性配合 线性降低 作用特性 磁感应 大电流 灵敏度 气隙处 中心点 检测 磁滞 功耗 聚磁 磁场 平行 | ||
【主权项】：
1.一种磁屏蔽开环电流传感器，其特征在于：包括聚磁环(1)；激励电流导线(2)，所述激励电流导线(2)穿过聚磁环(1)环内空心区域；磁环气隙(3)，所述磁环气隙(3)设置在聚磁环(1)的环身上；传感器芯片(4)，所述传感器芯片(4)设置在磁环气隙(3)的中心点向着远离激励电流导线(2)方向的延长线上并且该延长线平行于磁环气隙(3)的上下两表面；软磁屏蔽层(5)，所述软磁屏蔽层(5)设置在传感器芯片(4)的正上方；聚磁环(1)将激励电流导线(2)产生的感生磁场聚集并在磁环气隙(3)处产生漏磁，由于大电流激励时磁环气隙(3)处磁感应强度很大，超出了传感器芯片(4)的检测范围，此时利用远离磁环气隙(3)处的磁场衰减作用特性配合软磁屏蔽层(5)的磁场屏蔽作用特性，使得较大磁感应强度线性降低到传感器芯片(4)检测范围内，达到检测大电流的目的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811639673.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：配电网供电台区线缆接口综合监测装置
- 下一篇：一种电流测量方法和装置
