[发明专利]掩膜板及曝光方法有效
| 申请号： | 201811627128.5 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111381434B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 任书铭 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/20;H01L33/20 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种掩膜板及曝光方法，包括互补的第一掩膜图形及第二掩膜图形，所述第一掩膜图形包括多条沿第一方向延伸的第一条形图形，所述第二掩膜图形包括多条沿第二方向延伸的第二条形图形，所述第一方向与所述第二方向交叉，分别采用第一掩膜图形及第二掩膜图形对所述LED基底依次执行两次曝光工艺，以使形成的曝光图形对准叠加后能够形成PSS图形，相较于传统的拼接方式来说，本发明中所有图形区的线宽一致，降低了对像质的要求且无需缩小曝光视场。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜板 曝光 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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