[发明专利]一种NMOS晶体管在审
| 申请号： | 201811619950.7 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111384145A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘奕晨 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/161;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 孙涛涛 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种NMOS晶体管，包括：半导体衬底(101)、Ge外延层(102)、SiGe层(103)、Ge沟道层(104)、源区(105)、漏区(106)、介质层(107)、栅极(108)、源极(109)和漏极(110)；其中，所述Ge外延层(102)位于所述半导体衬底(101)上且为脊状结构；所述SiGe层(103)位于所述Ge外延层(102)上；所述Ge沟道层(104)位于所述Ge外延层(102)和所述SiGe层(103)上；所述栅极(108)位于所述Ge沟道层(104)上中间位置；本发明提供的NMOS晶体管相对于传统NMOS晶体管，其载流子迁移率有了很大提升，在减小NMOS晶体管尺寸的同时提高了NMOS晶体管的电流驱动与频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811619950.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种压应变PMOS器件
- 下一篇：一种无源RFID标签
- 同类专利
- 专利分类
