[发明专利]石英光刻化晶圆及切割技术有效
| 申请号： | 201811614266.X | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110027123B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李宗杰 | 申请（专利权）人： | 李宗杰 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 深圳市特讯知识产权代理事务所(普通合伙) 44653 | 代理人： | 何明生 |
| 地址： | 中国台湾台北市文*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明属于晶圆技术领域，尤其为石英光刻化晶圆及切割技术，包括石英晶圆本体、镂空区、切割对准线、晶片主震区、晶片主震区电极膜、晶片脚位区电极膜和晶片侧边导通电极膜，所述镂空区位于两个石英晶圆相对面的中部，所述切割对准线位于石英晶圆本体的四边，所述晶片主震区位于石英晶圆本体的表面，所述晶片主震区电极膜位于石英晶圆本体的上方，所述晶片脚位区电极膜位于晶片主震区电极膜的下方，所述晶片侧边导通电极膜位于石英晶圆镂空区的侧面；本发明，针对现有以光刻拨断的技术，本发明可避免因预留芯片镂空区与支撑区而造成原有芯片数量的减少，并有效提升30‑50％的芯片数量产出，可大幅增加芯片数量，降低成本损失。 | ||
| 搜索关键词： | 石英 光刻 化晶圆 切割 技术 | ||
【主权项】：
1.石英光刻化晶圆，包括石英晶圆(7)本体、镂空区(6)、切割对准线(1)、晶片主震区(2)、晶片主震区电极膜(3)、晶片脚位区电极膜(4)和晶片侧边导通电极膜(5)，其特征在于：所述镂空区(6)位于两个石英晶圆(7)相对面的中部，所述切割对准线(1)位于石英晶圆(7)本体的四边，所述晶片主震区(2)位于石英晶圆(7)本体的表面，所述晶片主震区电极膜(3)位于石英晶圆(7)本体的上方，所述晶片脚位区电极膜(4)位于晶片主震区电极膜(3)的下方，所述晶片侧边导通电极膜(5)位于石英晶圆(7)镂空区(6)的侧面，所述晶片脚位区电极膜(4)与晶片主震区电极膜(3)、晶片侧边导通电极膜(5)相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
