[发明专利]形成个别地包括可编程电荷存储晶体管的竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法有效
| 申请号： | 201811614118.8 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110047835B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | W·Y·吴;I·拉博瑞安特;J·N·格里利;T·J·约翰;许豪仪 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/20;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/20;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案涉及形成个别地包括可编程电荷存储晶体管的竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法。该方法包括形成包括交替绝缘层体及字线层体的堆叠，其中，将所述字线层体形成为包括具有对应于个别存储器单元的控制栅极区域的端子端部的控制栅极材料，且具有所述个别存储器单元的横向地在电荷存储材料与所述控制栅极区域中的个别者之间的电荷阻挡区域。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 个别 包括 可编程 电荷 存储 晶体管 竖向 延伸 存储器 单元 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法，所述存储器单元个别地包括可编程电荷存储晶体管，所述方法包括：形成包括交替绝缘层体及字线层体的堆叠，选择栅极层体在所述绝缘层体的上部上面，沟道开口延伸穿过所述交替层体及所述选择栅极层体；在所述沟道开口内竖向地沿着所述交替层体及所述选择栅极层体形成电荷存储材料；在所述沟道开口内横向地在所述电荷存储材料上方形成牺牲材料，所述电荷存储材料横向地在所述选择栅极层体上方且横向地在所述交替层体上方；蚀刻所述沟道开口内的所述电荷存储材料及所述牺牲材料中的每一者的竖向外部分；在所述蚀刻之后，从所述沟道开口移除所述牺牲材料；在所述移除之后，在所述沟道开口内横向地在所述电荷存储材料上方形成绝缘电荷通过材料，接着形成沟道材料，所述电荷存储材料横向地在所述字线层体上方；及将所述字线层体形成为包括具有对应于个别存储器单元的控制栅极区域的端子端部的控制栅极材料，且具有所述个别存储器单元的横向地在所述电荷存储材料与所述控制栅极区域中的个别者之间的电荷阻挡区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811614118.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
