[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811612795.6 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109975925B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 中柴康隆;绵贯真一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件及其制造方法。一体形成了与微型光学器件形成在同一层上的光波导和尺寸大不相同的光斑尺寸转换器。半导体器件具有用作光斑尺寸转换器的光波导部分。光波导部分包括在厚度方向上穿透层间绝缘层的多个光波导本体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：绝缘层；光波导，形成在所述绝缘层上方；第一层间绝缘层，以覆盖所述光波导的方式形成在所述绝缘层上方；第二层间绝缘层，形成在所述第一层间绝缘层上方；以及光波导部分，具有：沿厚度方向穿透所述第一层间绝缘层并彼此分离的多个第一光波导本体，以及沿厚度方向穿透所述第二层间绝缘层并彼此分离的多个第二光波导本体，所述光波导部分的一端被布置成覆盖所述光波导的一端，并且所述光波导部分的另一端包括用于接收外部光且能够通过其传播光的光接收表面。
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