[发明专利]使用穿通效应的放大器电压限制有效
| 申请号： | 201811606104.1 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN110047917B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | A.F.奎格莱塔;M.J.麦克帕特林 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/735;H01L21/768;H01L23/48;H01L27/02;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 于小宁 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此公开的是用于在半导体电路中使用硅通孔(TSV)定位来电压钳位的系统和方法。公开了一种半导体裸芯，其包含硅基底、具有置于所述基底上的集电极区、发射极区、基极区和子集电极区的双极型晶体管、和硅通孔(TSV)，该硅通孔位于所述子集电极区的35μm内，以便将所述双极型晶体管的峰值电压钳位在电压极限电平处。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 效应 放大器 电压 限制 | ||
【主权项】：
1.一种射频设备，包括：半导体基底；双极型晶体管，具有置于所述基底上的集电极区、发射极区、基极区和子集电极区；以及硅通孔，位于所述子集电极区的35μm内，以便将所述双极型晶体管的峰值电压钳位在电压极限电平处。
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