[发明专利]一种空气隙型压电体声波器件异质集成方法和该器件在审
申请号: | 201811605254.0 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN109802645A | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 庞慰;高传海;张孟伦 | 申请(专利权)人: | 天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H9/00 | 分类号: | H03H9/00;H03H9/02 |
代理公司: | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人: | 姜劲;谷惠敏 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供一种空气隙型压电体声波器件异质集成方法,其特征在于,包括:使用软印章将体声波器件薄膜从供体基底上提起;使用软印章将体声波器件放到CMOS电路上方的中间层上,并同时使体声波器件位于中间层的指定位置,指定位置具有空腔,或者指定位置具有支撑结构及牺牲层。该方法运用材料转移印刷技术将可转移体声波器件转移至目标系统平台上,最终形成3D堆叠式集成结构。该方法的优势在于:更低的成本、更高的集成度、更低的操作温度要求以及更短的操作时间。 | ||
搜索关键词: | 体声波器件 压电体声波 空气隙 软印章 中间层 异质 材料转移 集成结构 目标系统 温度要求 支撑结构 集成度 堆叠式 可转移 牺牲层 供体 基底 空腔 薄膜 印刷 | ||
【主权项】:
1.一种空气隙型压电体声波器件异质集成方法,其特征在于,包括:使用软印章将体声波器件薄膜从供体基底上提起;使用所述软印章将所述体声波器件放到CMOS电路上方的中间层上,并同时使所述体声波器件位于所述中间层的指定位置,所述指定位置具有空腔,或者所述指定位置具有支撑结构及牺牲层。
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