[发明专利]用于限定从基底突出的鳍的长度的方法有效
申请号: | 201811581609.7 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109979814B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 金庆燮;田炅烨;韩涩琪 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308;H01L21/331;H01L29/739 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 可提供一种用于限定从基底突出的鳍的长度的方法,所述方法包括:使用多个硬掩模图案在设置在鳍之上的掩模材料层上形成多个第一切片壁;设置相对于多个第一切片壁自对准的多个填充掩模图案,以暴露位于多个第一切片壁中的一个或更多个成对的相邻第一切片壁之间的一个或更多个选定区域;以及设置包括一个或更多个开口并相对于多个第二切片壁自对准的修整掩模图案,以暴露多个第一切片壁中的一个或更多个。 | ||
搜索关键词: | 用于 限定 基底 突出 长度 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于限定从基底突出的鳍的长度的方法,所述方法包括下述步骤:在鳍上设置掩模材料层,鳍从基底突出并在第一方向上水平地延伸;使用多个硬掩模图案在掩模材料层上形成多个第一切片壁,所述多个第一切片壁在第二方向上水平地延伸,第二方向与第一方向交叉;在所述多个第一切片壁和掩模材料层上设置第一绝缘层;在第一绝缘层上设置多个填充掩模图案,并且将所述多个填充掩模图案设置为使所述多个填充掩模图案相对于所述多个第一切片壁自对准,以暴露位于所述多个第一切片壁中的一个或更多个成对的相邻第一切片壁之间的一个或更多个选定区域;去除位于所述暴露的一个或更多个选定区域处的第一绝缘层和所述多个填充掩模图案;在所述暴露的一个或更多个选定区域处分别设置一个或更多个第二切片壁;在第一绝缘层、所述多个第一切片壁以及所述一个或更多个第二切片壁上设置第二绝缘层;在第二绝缘层上设置包括一个或更多个开口的修整掩模图案,使得修整掩模图案相对于所述一个或更多个第二切片壁自对准,以暴露所述多个第一切片壁中的一个或更多个;去除所述多个第一切片壁中的由修整掩模图案暴露的所述一个或更多个;去除修整掩模图案以及第一绝缘层和第二绝缘层;使用所述多个第一切片壁中的保留的第一切片壁和所述一个或更多个第二切片壁来将掩模材料层图案化,以形成多个鳍切除掩模图案;以及使用所述多个鳍切除掩模图案切除鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造