[发明专利]用于限定从基底突出的鳍的长度的方法有效

专利信息
申请号: 201811581609.7 申请日: 2018-12-24
公开(公告)号: CN109979814B 公开(公告)日: 2022-11-25
发明(设计)人: 金庆燮;田炅烨;韩涩琪 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/308 分类号: H01L21/308;H01L21/331;H01L29/739
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张晓;刘灿强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 可提供一种用于限定从基底突出的鳍的长度的方法,所述方法包括:使用多个硬掩模图案在设置在鳍之上的掩模材料层上形成多个第一切片壁;设置相对于多个第一切片壁自对准的多个填充掩模图案,以暴露位于多个第一切片壁中的一个或更多个成对的相邻第一切片壁之间的一个或更多个选定区域;以及设置包括一个或更多个开口并相对于多个第二切片壁自对准的修整掩模图案,以暴露多个第一切片壁中的一个或更多个。
搜索关键词: 用于 限定 基底 突出 长度 方法
【主权项】:
1.一种用于限定从基底突出的鳍的长度的方法,所述方法包括下述步骤:在鳍上设置掩模材料层,鳍从基底突出并在第一方向上水平地延伸;使用多个硬掩模图案在掩模材料层上形成多个第一切片壁,所述多个第一切片壁在第二方向上水平地延伸,第二方向与第一方向交叉;在所述多个第一切片壁和掩模材料层上设置第一绝缘层;在第一绝缘层上设置多个填充掩模图案,并且将所述多个填充掩模图案设置为使所述多个填充掩模图案相对于所述多个第一切片壁自对准,以暴露位于所述多个第一切片壁中的一个或更多个成对的相邻第一切片壁之间的一个或更多个选定区域;去除位于所述暴露的一个或更多个选定区域处的第一绝缘层和所述多个填充掩模图案;在所述暴露的一个或更多个选定区域处分别设置一个或更多个第二切片壁;在第一绝缘层、所述多个第一切片壁以及所述一个或更多个第二切片壁上设置第二绝缘层;在第二绝缘层上设置包括一个或更多个开口的修整掩模图案,使得修整掩模图案相对于所述一个或更多个第二切片壁自对准,以暴露所述多个第一切片壁中的一个或更多个;去除所述多个第一切片壁中的由修整掩模图案暴露的所述一个或更多个;去除修整掩模图案以及第一绝缘层和第二绝缘层;使用所述多个第一切片壁中的保留的第一切片壁和所述一个或更多个第二切片壁来将掩模材料层图案化,以形成多个鳍切除掩模图案;以及使用所述多个鳍切除掩模图案切除鳍。
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