[发明专利]一种MWT+PERC太阳能电池的生产方法在审
申请号: | 201811580560.3 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109545906A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 沙炜惠;职森森;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216 |
代理公司: | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人: | 孙承尧 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种MWT+PERC太阳能电池的生产方法,刻蚀工艺中在扩散后的电池片上保留PN结,然后退火;打孔工艺中,制作圆锥形孔洞,电池片正面孔洞直径小于背面孔洞直径;背钝化工艺时,在孔洞内部生成Al2O3膜;镀膜工艺时,孔洞背面和正面的SiNx膜都从表面向孔洞中部生长,最终在孔洞中相交汇,镀膜工艺后,孔洞内部形成SiNx膜,在结合之前的PN结和Al2O3膜,改善漏电情况;在堵孔过程中,选择合适的堵孔浆料,控制浆料对PN结、Al2O3膜和SiNx膜的侵蚀,进一步改善漏电情况,在接12V反向电流下,漏电流为2A及2A以下。同时保证浆料不会剥离、脱落的情况分发生。 | ||
搜索关键词: | 孔洞 浆料 太阳能电池 漏电 镀膜工艺 堵孔 背面 退火 电池片正面 圆锥形孔洞 打孔工艺 钝化工艺 反向电流 刻蚀工艺 电池片 漏电流 剥离 交汇 扩散 侵蚀 生产 生长 保留 制作 保证 | ||
【主权项】:
1.一种MWT+PERC太阳能电池的生产方法,其特征在于:刻蚀工艺中在扩散后的电池片上保留PN结,然后退火;打孔工艺中,制作圆锥形孔洞,电池片正面孔洞直径小于背面孔洞直径;背钝化工艺时,在孔洞内部生成Al2O3膜;镀膜工艺时,孔洞背面和正面的SiNx膜都从表面向孔洞中部生长,最终在孔洞中相交汇,镀膜工艺后,孔洞内部形成SiNx膜;在堵孔过程中,选择谷阳03号堵孔浆料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的