[发明专利]一种致密HfC(Si)-HfB2

摘要

本发明涉及一种致密HfC(Si)‑HfB2复相陶瓷的制备方法，将氧化铪粉体、纳米碳黑以及六硼化硅粉体按摩尔比为1～10∶1～20∶1～5的比例混合，获得混合粉体，经过进行球磨混合均匀，然后进行干燥，形成均匀的混合粉体；将得到的均匀混合粉体装入石墨模具中进行放电等离子体烧结，即原位碳‑硼热还原反应‑烧结致密化一步工艺完成，制备得到致密度为94.0％～100％且晶粒均匀弥散分布的HfC(Si)‑HfB2复相陶瓷。与现有技术相比，本发明烧结制备得到物相组成和晶粒尺寸均匀分布，同时其陶瓷烧结体具有较高的致密性和断裂韧性，避免传统先制备粉体过程中难以控制成分和晶粒尺寸，后期烧结陶瓷过程中难以致密化。

主权项

1.一种致密HfC(Si)‑HfB₂复相陶瓷的制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)将氧化铪粉体、纳米碳黑以及六硼化硅粉体按摩尔比为1～10∶1～20∶1～5的比例混合，获得混合粉体；(2)将步骤(1)中混合粉体采用行星式球磨机进行球磨，使氧化铪粉体、纳米碳黑以及六硼化硅粉体均匀混合，然后进行干燥，形成均匀的混合粉体；(3)将得到的均匀混合粉体装入石墨模具中进行放电等离子体烧结，制备得到致密度为94.0％～100％且晶粒均匀弥散分布的HfC(Si)‑HfB₂复相陶瓷。