[发明专利]一种内窥镜micro-LED光源及其制备方法有效
申请号: | 201811576296.6 | 申请日: | 2018-12-22 |
公开(公告)号: | CN109742197B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 田朋飞;顾而丹;刘冉;郑立荣 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L27/15;A61B1/06 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于医用光源照明技术领域,具体为一种内窥镜micro‑LED光源及其制备方法。本发明使用尺寸较小的micro‑LED为光源,micro‑LED芯片形状根据内窥镜外壳形状设计;通过调整micro‑LED芯片阵列的间距以及micro‑LED单元数量对芯片充分散热;系统封装时,micro‑LED芯片紧贴内窥镜外壳,利用内窥镜外壳散热;micro‑LED的结构可以为正装、倒装和垂直等多种结构,白光光源的组成可以由红绿蓝等多种发光波长的micro‑LED芯片组成,也可以由蓝光micro‑LED芯片与荧光粉混合组成。本发明通过micro‑LED芯片和内窥镜系统的整体设计,降低了照明系统的自发热,使自发热导致的内窥镜照明系统的温度低于43摄氏度;光通量、显色指数等指标适合人体的需求以及国家标准的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 内窥镜 micro led 光源 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种内窥镜micro‑LED光源的制备方法,其特征在于,具体步骤为:(1)在氮化镓或者砷化镓基LED外延片上刻蚀micro‑LED台面阵列;(2)沉积p型电极,退火形成p型欧姆接触;(3)沉积绝缘层,并在将要制备电极或者进行电极互连的位置刻蚀开孔;(4)在相应开孔位置,沉积n型电极,退火形成n型欧姆接触;(5)沉积n型、p型以及micro‑LED单元之间的互连电极;(6)衬底剥离、衬底转移和表面粗化;(7)设计芯片的驱动方式、以及驱动电流和电压;(8)Micro‑LED芯片与内窥镜外壳封装;(9)白光发光芯片封装。
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