[发明专利]用于制造薄层太阳能模块的方法以及按照该方法可获得的薄层太阳能模块在审
申请号: | 201811570245.2 | 申请日: | 2013-02-15 |
公开(公告)号: | CN109994563A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | V.普罗布斯特 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H01L31/0463 | 分类号: | H01L31/0463;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0749 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南;申屠伟进 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制造光电薄层太阳能模块的方法,包括步骤:‑将背电极层施加在衬底上,‑施加至少一个导电的阻挡层,‑施加至少一个接触层,‑施加至少一个黄铜矿或锌黄锡矿半导体吸收层,‑施加至少一个缓冲层,‑在构造第一分离沟的情况下借助激光处理去除所施加的层,‑以至少一种绝缘材料填充第一分离沟,‑在构造第二分离沟的情况下去除从阻挡层朝半导体吸收层的方向延伸的层,或在构造线形的导电的第一区域的情况下对从阻挡层朝半导体吸收层的方向延伸的层进行化学相变或热分解,‑在填充和接触第二分离沟的情况下或在接触线形的导电的第一区域的情况下施加至少一个透明的前电极层,使得相邻的太阳能电池被串行布线,以及‑在构造第三分离沟的情况下去除从阻挡层朝前电极层的方向延伸的层。此外,本发明涉及按照根据本发明的方法获得的光电薄层太阳能模块。 | ||
搜索关键词: | 施加 分离沟 薄层太阳能模块 阻挡层 半导体吸收层 方向延伸 导电 第一区域 前电极层 填充 太阳能电池 背电极层 串行布线 激光处理 绝缘材料 锡矿 缓冲层 黄铜矿 接触层 热分解 透明的 衬底 去除 锌黄 制造 | ||
【主权项】:
1.用于制造光电薄层太阳能模块的方法,包括如下步骤:‑ 提供尤其是平面的衬底,‑ 将至少一个背电极层施加在所述衬底上,‑ 施加至少一个导电的阻挡层,‑ 施加至少一个尤其是欧姆的接触层,‑ 施加至少一个尤其是黄铜矿或锌黄锡矿半导体吸收层,其中所述接触层包括‑ 由至少一个金属层和至少一个金属硫族化物层构成的层序列,其中所述金属层邻近或邻接导电的阻挡层,并且其中金属硫族化物层邻近或邻接半导体吸收层,或者‑ 其中所述接触层由至少一个金属硫族化物层构成,‑ 必要时施加至少一个第一缓冲层,‑ 必要时施加至少一个第二缓冲层,‑ 第一结构化步骤,包括在构造第一分离沟的情况下借助激光处理(第一激光处理)沿着彼此间隔的线去除所施加的层,所述第一分离沟分离相邻的太阳能电池,‑ 以至少一种绝缘材料填充所述第一分离沟,‑ 第二结构化步骤,包括:‑‑ 在构造第二分离沟的情况下沿着彼此间隔的线去除从所述阻挡层朝所述半导体吸收层或缓冲层的方向延伸的层,所述第二分离沟与相对应的第一分离沟相邻或与所述第一分离沟邻接,尤其是与所述第一分离沟平行地伸展,或‑‑ 通过沿着彼此间隔的线对从所述阻挡层朝所述半导体吸收层或缓冲层的方向延伸的层进行化学相变和/或热分解构造线形的导电的第一区域,‑ 在填充和接触所述第二分离沟的情况下或在接触所述线形的导电的第一区域的情况下施加至少一个透明的前电极层,使得相邻的太阳能电池被串行布线,以及‑ 至少一个第三结构化步骤,包括:在构造第三分离沟的情况下沿彼此间隔的线去除从所述阻挡层朝所述至少一个前电极层的方向延伸的层,所述第三分离沟与相对应的第二分离沟相邻或与所述第二分离沟邻接,尤其是与所述第二分离沟平行地伸展。
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