[发明专利]单晶的制造方法以及制造装置有效
| 申请号： | 201811570244.8 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109957832B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 佐藤利行 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20;C30B13/30;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶的制造方法以及制造装置。是一种利用FZ法的单晶的制造方法，在所述FZ法中，使用感应加热线圈来对原料棒的下端部进行加热而形成熔化带，将在原料棒和熔化带的下端结晶的单晶向下方传送，由此，使单晶生长，所述制造方法包含缩颈工序，所述缩颈工序以排除位错的方式一边使单晶直径缩小一边使单晶生长，在缩颈工序中，基于向感应加热线圈供给高频电流的振荡器的振荡电压曲线来对振荡器的振荡电压进行操作，由此，对缩颈直径进行控制，基于缩颈位置的实测值与缩颈位置曲线的偏差和晶体传送速度曲线来对晶体传送速度进行操作，由此，对缩颈位置进行控制，基于缩颈位置的实测值与缩颈位置曲线的偏差来校正振荡电压曲线。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单晶的制造方法，所述制造方法是利用FZ法的单晶的制造方法，在所述FZ法中，使用感应加热线圈来对原料棒的下端部进行加热而形成熔化带，将在所述原料棒和所述熔化带的下端结晶的单晶向下方分别传送，由此，从所述熔化带生长所述单晶，所述制造方法的特征在于，包含缩颈工序，所述缩颈工序以排除位错的方式一边使所述单晶的直径缩小一边使所述单晶生长，在所述缩颈工序中，基于向所述感应加热线圈供给高频电流的振荡器的振荡电压曲线来对所述振荡器的振荡电压进行操作，由此，对与所述熔化带的界面处的所述单晶的直径即缩颈直径进行控制，基于晶体传送速度曲线来对晶体传送速度进行操作，由此，对所述熔化带与所述单晶的界面的位置即缩颈位置进行控制，基于所述缩颈位置的实测值与缩颈位置曲线的偏差来校正所述振荡电压曲线。
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