[发明专利]一种基于溴化铜制备高性能全无机钙钛矿太阳能电池的方法有效
申请号: | 201811568228.5 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN109728111B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 王照奎;廖良生;王凯礼 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明提供了一种基于溴化铜制备高性能全无机钙钛矿太阳能电池的方法,包括以下步骤:(1)于处理后的FTO基片上沉积电子传输层TiO |
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搜索关键词: | 一种 基于 铜制 性能 无机 钙钛矿 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于溴化铜制备高性能全无机钙钛矿太阳能电池的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将FTO透明导电玻璃基片清洗后烘干,然后将处理后的FTO基片用紫外灯和臭氧进行处理,于处理后的FTO基片上沉积电子传输层TiO2;(2)配置钙钛矿前驱体溶液,所述钙钛矿前驱体溶液中掺杂有溴化铜粉末;(3)将步骤(1)沉积好TiO2的FTO基片放在臭氧机里处理后取出传至手套箱,将步骤(2)制备的钙钛矿前驱体溶液在基片上利用旋涂法制备薄膜,旋涂后将基片转移至加热台上进行退火处理;(4)在步骤(3)制备的薄膜上通过旋涂法加工空穴传输层;(5)在步骤(4)制备的空穴传输层上利用热蒸发技术沉积薄膜电极。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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