[发明专利]一种光电集成器件在审
| 申请号： | 201811563106.7 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111354828A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 左瑜;尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/153 | 分类号： | H01L31/153;H01L31/173;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 孙涛涛 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电集成器件，包括n+掺杂Si衬底、第一和第二以及第三n+掺杂Ge层、第一和第二p+掺杂Si层、第一和第二保护层，各层由下至上层叠于n+掺杂Si衬底上；第一和第二隔离层设置于n+掺杂Si衬底上；覆盖层设置于第二n+掺杂Ge层上；第一SiN膜设置于第一隔离层、第二隔离层、覆盖层上和两侧及第二n+掺杂Ge层两侧；第二SiN膜设置于n+掺杂Si衬底上，第三n+掺杂Ge层、第二p+掺杂Si层和第二保护层两侧以及第二保护层上；第一电极和第二电极分别设置于第一保护层和第二SiN膜上。本发明通过使用Si基改性Ge材料，实现发光器件、波导以及探测器的同层制备，器件结构新颖、集成度高、工艺成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 集成 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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