[发明专利]铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法，所述电子俘获型光存储材料的化学式为Sr1‑x‑yAl2Si2O8：xEu2+，yNd3+，其中，0.001≤x≤0.2，0.001≤y≤0.2。本发明所述的制备方法为高温固相法，原料简单易得，价格低廉，适用于批量大规模生产，本发明所述的铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料与以往材料相比，性能极大提升，除了具备光存储材料之外，荧光粉的高亮度还可作为长余辉照明，以及白光LED的蓝色发光源，适于在医疗检测、电子通讯、电子显微镜照相和信息存储等多个应用领域。

主权项

1.一种铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料，其特征在于：其化学式为：Sr_1‑x‑yAl₂Si₂O₈：xEu²⁺，yNd³⁺其中，0.001≤x≤0.2，0.001≤y≤0.2。