[发明专利]一种集成式电容/电磁双模态层析成像传感器在审
| 申请号： | 201811544678.0 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109557144A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 崔自强;谌宇翔 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22;G01N27/74 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成式电容/电磁双模态层析成像传感器，包括排布在同一测量截面上的多个测量通道。其特征在于，每个测量通道包括由内侧向外侧设置的ECT电极、EMT线圈和外屏蔽层，外屏蔽层与仪器地相连。 | ||
| 搜索关键词： | 双模态层析成像 测量通道 外屏蔽层 电容 集成式 传感器 外侧设置 排布 测量 | ||
【主权项】：
1.一种集成式电容/电磁双模态层析成像传感器，包括排布在同一测量截面上的多个测量通道。其特征在于，每个测量通道包括由内侧向外侧设置的ECT电极、EMT线圈和外屏蔽层，外屏蔽层与仪器地相连。
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