[发明专利]一种水处理SnO2

摘要

本发明公开了一种水处理SnO2薄膜及其钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明的水处理SnO2薄膜的制备步骤为：在导电基底表面旋涂一层去离子水，接着旋涂一层SnO2胶体水溶液，并在70～200℃条件下退火30min制得。本发明的钙钛矿太阳能电池是在水处理SnO2薄膜表面旋涂钙钛矿溶液，经退火处理，得到钙钛矿薄膜，再在钙钛矿薄膜表面依次旋涂空穴传输层和蒸镀金属电极。本发明制备工艺简单，环境友好，成本低廉，稳定性好，制得的SnO2薄膜表现出优异的致密性和平整性，同时将其应用在正型平面三元混合钙钛矿电池中获得了21.39％的光电转化效率，为低成本制备平面钙钛矿太阳能电池走向商业化提供了可能。

主权项

1.一种水处理SnO₂薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：(1)导电基底的预处理选取大小适中的ITO衬底，清洗、干燥后利用紫外‑臭氧处理15～30min，备用；(2)配制SnO₂胶体水溶液将SnO₂胶体水溶液用去离子水稀释，配制质量百分浓度为1～10wt％的SnO₂胶体水溶液；(3)旋涂制备SnO₂薄膜取步骤(1)预处理后的导电基底，采用去离子水作为一次镀膜液体，通过旋涂法在所述导电基底表面制备一层水膜；然后取步骤(2)所述的SnO₂胶体水溶液作为二次镀膜液体，立即将SnO₂胶体水溶液滴加在水膜表面，并迅速进行二次旋涂，使SnO₂胶体水溶液均匀扩散铺展在水膜表面，得到SnO₂预制层薄膜，经退火处理，得到均匀平整的SnO₂薄膜。