[发明专利]一种银纳米线杂化填料的制备方法及使用该填料的复合材料有效
| 申请号： | 201811540666.0 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109503889B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 钱家盛;涂友雷;伍斌;杨斌;苗继斌;夏茹;曹明 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | C08K9/12 | 分类号： | C08K9/12;C08K9/10;C08K7/06;C08K3/38;C08L25/06 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11473 | 代理人： | 闫冬;刘小菏 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种银纳米线杂化填料的制备方法及使用该填料的复合材料，属于导热复合材料技术领域。银纳米线杂化填料的制备包括如下步骤：步骤S1，采用高温剥离法对氮化硼进行改性处理，制得氧化氮化硼；步骤S2，以硝酸银、氧化氮化硼为前驱体，多元醇为还原剂，并添加表面活性剂和辅助剂，采用溶剂热法制得银纳米线杂化填料。本发明制备的银纳米线杂化填料具有类核壳结构，在银纳米线表面包覆有一层氮化硼片层，将其作为填料掺入聚合物基体时，由于杂化填料的协同效应，在聚合物基体中易形成三维导热通路，提高导热率，另外外层氮化硼相当于导热绝缘层，一定程度上降低了复合材料的导电率，改善复合材料的介电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 线杂化 填料 制备 方法 使用 复合材料 | ||
【主权项】：
1.一种银纳米线杂化填料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，采用高温剥离法对氮化硼进行改性处理，制得氧化氮化硼；步骤S2，以硝酸银、所述氧化氮化硼为前驱体，多元醇为还原剂，并添加表面活性剂和辅助剂，采用溶剂热法制得银纳米线杂化填料。
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