[发明专利]一种半导体激光器芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811538852.0 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109638639A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 颜建;蒋培 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 朱静谦 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体激光器芯片及其制作方法，其中半导体激光器芯片包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器外延结构远离双面抛光衬底的一侧，与激光器外延结构的电极连接；太阳能电池外延结构的P面电极通过金线与金属热沉连接，双面抛光衬底为N型掺杂的GaAs或InP，厚度为300‑400μm，且其掺杂浓度大于1E19cm3。在双面抛光衬底的正反面分别生长半导体激光器外延结构与太阳能电池外延结构，用金线和热沉实现电气连接，使半导体激光器芯片能够依靠自身结构中的太阳能电池供电，提高器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 双面抛光 衬底 太阳能电池 半导体激光器芯片 激光器 金属热沉 金线 半导体技术领域 半导体激光器 电极连接 电气连接 集成度 正反面 热沉 制作 背面 掺杂 供电 生长 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器芯片，其特征在于，包括：双面抛光衬底(10)；激光器外延结构(20)，设置于所述双面抛光衬底(10)的正面；太阳能电池外延结构(30)，设置于所述双面抛光衬底(10)的背面；金属热沉(40)，设置于所述激光器外延结构(20)远离所述双面抛光衬底(10)的一侧，与所述激光器外延结构(20)的电极(21)连接；金线(50)，所述太阳能电池外延结构(30)的P面电极(31)通过金线(50)与所述金属热沉(40)连接；其中，所述双面抛光衬底(10)为N型掺杂的GaAs或InP，厚度为300μm至400μm，且其掺杂浓度大于1E19cm3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州矩阵光电有限公司，未经苏州矩阵光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811538852.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
