[发明专利]一种氧化石墨烯上生长碳纳米片矩阵衍生碳纳米复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201811532770.5 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109592676B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张超;陈山;刘天西;郑勇 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C01B32/198 | 分类号： | C01B32/198;C01B32/15;H01M4/96;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 黄志达;魏峯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化石墨烯上生长碳纳米片矩阵衍生碳纳米复合材料的制备方法。该方法包括：由氧化石墨烯、三聚氯氰和哌嗪通过溶液回流法得到具有矩阵结构的纳米复合材料前驱体，然后碳化。该方法设计简单，前驱体制备容易，一步碳化制备得到具有矩阵结构的碳纳米复合材料，解决了传统碳材料结构单一，易于团聚的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 石墨 生长 纳米 矩阵 衍生 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化石墨烯上生长碳纳米片矩阵衍生碳纳米复合材料的制备方法，其特征在于，由质量比为1‑6:1‑2:1‑5的三聚氯氰、哌嗪和氧化石墨烯通过溶液回流法得到具有矩阵结构的纳米复合材料前驱体。
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