[发明专利]一种新型阳极氧化铝模板以及纳米阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201811525440.3 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109504994B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;胡有地 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | C25D11/12 | 分类号： | C25D11/12;C25D11/24;C23C14/10;C23C14/35;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及电化学技术领域，特别是涉及一种阳极氧化铝模板以及纳米阵列的制备方法。所述阳极氧化铝模板的制备方法，包括：对抛光铝片进行一次电解处理；移除一次电解所产生的氧化铝层；在铝基底表面制备聚苯乙烯小球；刻蚀聚苯乙烯小球；在刻蚀后的铝基底上沉积二氧化硅薄膜，去除聚苯乙烯小球；对铝基底进行二次电解处理得到氧化铝模板，对氧化铝模板进行扩孔处理。应用该模板制备了昆虫复眼纳米阵列和纳米花阵列，并且制备得到的昆虫复眼纳米阵列具有优异的疏水性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 阳极 氧化铝 模板 以及 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阳极氧化铝模板的制备方法，包括：对抛光铝片进行一次电解处理；移除一次电解所产生的氧化铝层；在铝基底表面制备聚苯乙烯小球；刻蚀聚苯乙烯小球；在刻蚀后的铝基底上沉积二氧化硅薄膜，去除聚苯乙烯小球；对铝基底进行二次电解处理得到氧化铝模板，对氧化铝模板进行扩孔处理。
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