[发明专利]一种TixSi1-xC/Ag复合导电涂层的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811524716.6 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109706430A 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 苏晓磊;张朋;贾艳;刘毅 申请(专利权)人: 西安工程大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 曾庆喜
地址: 710048 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种TixSi1‑xC/Ag复合导电涂层的制备方法,首先将铜基体依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗,之后真空烘干,再将铜基体放入磁控溅射真空室内的样品台上,采用直流磁控溅射法沉积TixSi1‑xC/Ag复合导电涂层。将本发明方法制备的TixSi1‑xC/Ag复合导电涂层用于铜表面,通过整体合金化提高了Cu的硬度、抗氧化性和耐磨性;通过磁控溅射法在Cu基体制备TixSi1‑xC/Ag复合导电涂层的制备方法,工艺简单,效率高,经济环保,且涂层质更高。
搜索关键词: 复合导电涂层 制备 磁控溅射法 铜基体 放入 耐磨性 采用直流 超声清洗 磁控溅射 抗氧化性 无水乙醇 真空烘干 整体合金 铜表面 丙酮 沉积 水中 离子 室内 环保
【主权项】:
1.一种TixSi1‑xC/Ag复合导电涂层的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1,将纯度为99.99%的铜基体依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗,之后真空烘干;步骤2,将经步骤1处理的铜基体放入磁控溅射真空室内的样品台上,采用直流磁控溅射法沉积TixSi1‑xC/Ag复合导电涂层。
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