[发明专利]逆导型晶闸管及其制作方法

摘要

本发明公开一种逆导型晶闸管，其包括衬底，位于衬底的两侧表面的第一层和第二层，第一层包括第一区、第二区和第三区，第二层内设置有第四区，贯穿第二层且底部延伸至衬底内的第一沟槽，第一沟槽将第二层分隔为第五区和第六区，第五区和第一区对应，第六区和第二区对应，第四区位于第六区内，填充在第一沟槽内的隔离层；位于第一层的下表面的第一电极；位于第二层的上表面且接触第四区和第五区的第二电极；位于第二层的上表面且接触第六区的第三电极。本发明公开一种该逆导型晶闸管的制作方法。本发明所述逆导型晶闸管具有更加安全可靠的特性，同时具有更小的功耗，提高电路整体的性能。

主权项

1.一种逆导型晶闸管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底，所述衬底具有正面和与所述正面相对的背面；位于所述衬底的正面的第一层，所述第一层包括贯穿所述第一层的第一导电类型的第一区、第二导电类型的第二区和隔离所述第一区与第二区的第二导电类型的第三区，所述第三区的掺杂浓度低于所述第二区的掺杂浓度，所述第一区和所述第二区均与所述衬底接触；位于所述衬底的背面的第二导电类型的第二层；位于所述第二层内的第一导电类型的第四区；贯穿所述第二层且底部延伸至所述衬底内的第一沟槽，所述第一沟槽将所述第二层分隔为第五区和第六区，其中所述第五区和所述第一区对应，所述第六区和所述第二区对应，所述第四区位于所述第六区内；填充在所述第一沟槽内且由绝缘材料组成的隔离层；位于所述第一层的下表面且接触所述第一区和所述第二区的第一电极；位于所述第二层的上表面且接触所述第四区和所述第五区的第二电极；位于所述第二层的上表面且接触所述第六区的第三电极。