[发明专利]GaN高温压力传感器

摘要

本发明提供了一种GaN高温压力传感器，包括硅衬底和硅基座，硅衬底上设有GaN外延层，GaN外延层上设有压阻器件和引脚，硅衬底的下表面且对应压阻器件正下方设有减薄凹槽，减薄凹槽对应的区域为压力检测区，压阻器件位于压力检测区，引脚在压力检测区之外；硅基座下表面设有第一刻蚀凹槽，第一刻蚀凹槽的槽底设有第二刻蚀凹槽和通孔；硅基座与硅衬底通过玻璃浆料烧结密封连接，压阻器件位于第二刻蚀凹槽内，引脚位于第二刻蚀凹槽之外，通孔内填充用于将引脚引出的金属。本发明提供的GaN高温压力传感器，具有较强的压电极化效应，具备在高温、辐照环境下工作的能力，在硅衬底上外延GaN，可以制备较大的晶圆，且加工工艺比碳化硅材料容易。

主权项

1.GaN高温压力传感器，其特征在于，包括：硅衬底，其上表面设有凸台，所述凸台上设有GaN外延层，所述GaN外延层上设有压阻器件和引脚，所述压阻器件位于所述GaN外延层的中间，所述引脚位于所述GaN外延层的边缘，所述硅衬底的下表面且对应所述压阻器件正下方设有减薄凹槽，所述减薄凹槽对应的区域为压力检测区，所述压阻器件位于所述压力检测区，所述引脚在所述压力检测区之外，所述凸台四周的平面为第一连接面；硅基座，下表面设有第一刻蚀凹槽，所述第一刻蚀凹槽的槽底设有用于密封所述压阻器件的第二刻蚀凹槽和用于引出所述引脚的贯穿所述硅基座的通孔，所述第一刻蚀凹槽四周的平面为第二连接面；所述硅基座的所述第二连接面与所述硅衬底的所述第一连接面通过玻璃浆料烧结实现密封连接，所述凸台位于所述第一刻蚀凹槽内，所述压阻器件位于所述第二刻蚀凹槽内，所述引脚位于所述第二刻蚀凹槽之外，所述第一刻蚀凹槽的槽底与所述GaN外延层相贴，所述通孔内填充用于将所述引脚引出的金属。