[发明专利]一种二氧化铈纳米棒及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201811486302.9 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109536903A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 安涛;窦春月;鞠金宁;魏文龙;纪全增 | 申请（专利权）人： | 长春大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 130000 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米材料制备领域，尤其涉及一种二氧化铈纳米棒的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：在Ar和O2的混合气氛中，以Si(100)单晶片作为衬底，以Ce作为靶材，进行掠入射磁控溅射，得到二氧化铈纳米棒。本发明通过掠入射磁控溅射方法可以得到表面为三棱锥的二氧化铈纳米棒，利用本发明提供的制备方法制备得到的二氧化铈纳米棒与水的接触角≥107.5°，最大可达143.2°，是目前二氧化铈材料的最大接触角值。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化铈 纳米棒 制备 磁控溅射 入射 制备方法和应用 纳米材料制备 混合气氛 最大接触 单晶片 接触角 三棱锥 靶材 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种二氧化铈纳米棒的制备方法，包括以下步骤：在Ar和O2的混合气氛中，以Si(100)单晶片作为衬底，以Ce作为靶材，进行掠入射磁控溅射，得到二氧化铈纳米棒。
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