[发明专利]一种具有单向辐射特性的硅基纳米天线在审
| 申请号： | 201811474041.9 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109713458A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 屈世伟;曾元松 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q21/00 | 分类号： | H01Q21/00;H01Q1/36 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 陈一鑫 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有单向辐射特性的硅基纳米天线，属于光学相控阵，激光雷达技术领域，具体涉及一种具有单向辐射特性的硅基纳米天线阵，特别涉及高效率，高定向性硅基纳米天线阵，适用于激光成像，激光雷达和光通信系统中。利用金属薄膜上的小孔从硅介质波导耦合能量，利用纳米贴片天线的强谐振特性引入非对称性，从而实现硅基片上天线的单向辐射，抑制了向基板一侧的泄露，提高了天线的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单向辐射 硅基纳米 天线 天线阵 激光雷达技术 光通信系统 光学相控阵 波导耦合 非对称性 高定向性 激光成像 激光雷达 金属薄膜 贴片天线 谐振特性 高效率 硅基片 硅介质 基板 小孔 泄露 引入 | ||
【主权项】：
1.一种具有单向辐射特性的硅基纳米天线，该天线包括：硅基板层、二氧化硅基板层、条状硅波导、二氧化硅覆层、金属薄膜、二氧化硅薄层、纳米贴片阵列；所述二氧化硅基板层位于硅基板层上表面，所述条状硅波导位于二氧化硅基板层的上表面的中线位置上，所述二氧化硅覆层同时覆盖于二氧化硅基板层和条状硅波导上，所述金属薄膜位于二氧化硅覆层上方，所述二氧化硅薄层位于金属薄膜上；所述金属薄膜上开设有纳米小孔阵列，所述二氧化硅薄层上表面设置有纳米贴片阵列，所述一个纳米小孔对应一个纳米贴片，且纳米贴片位于对应的纳米小孔的正上方。
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