[发明专利]形成用于进行间隔物界定图案化的竖直间隔物的方法在审
申请号: | 201811473050.6 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN109872947A | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 智广久保田;须佐吉雄 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡嘉倩;乐洪咏 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种形成用于间隔物界定多重图案化的竖直间隔物的方法,其包括:在模板上沉积具有第一膜应力的第一共形图案转移膜,并且连续地沉积具有第二膜应力的第二共形图案转移膜;对所述模板中除芯材料和所述第一图案转移膜和所述第二图案转移膜的竖直部分以外的部分进行干式蚀刻以形成竖直间隔物;以及对所述芯材料进行干式蚀刻,从而在所述竖直间隔物之间形成空白空间,其中通过调整所述第一图案转移膜与所述第二图案转移膜之间的膜应力差异,调整所述间隔物的倾斜角度。 | ||
搜索关键词: | 间隔物 图案转移 竖直 膜应力 干式蚀刻 共形 界定 沉积 多重图案 空白空间 图案化 芯材料 除芯 | ||
【主权项】:
1.一种形成用于进行间隔物界定图案化的间隔物的方法,所述方法在包含以下的步骤中进行:(i)将图案转移膜沉积在模板上,所述模板具有由在下方层上形成的心轴图案化的表面;(ii)对整个上表面覆盖有所述图案转移膜的所述模板进行干式蚀刻,并且由此选择性地去除在所述心轴的顶部上形成的所述图案转移膜的顶部部分和在所述下方层上形成的所述图案转移膜的水平部分,同时留下所述心轴作为芯材料并且留下在所述心轴的侧壁上形成的所述图案转移膜的侧壁部分作为间隔物;以及(iii)对所述芯材料进行干式蚀刻,从而形成空白空间,所述模板由此具有由所述间隔物在所述下方层上图案化的表面,所述间隔物以第一倾斜角度朝向所述空白空间向内倾斜,所述第一倾斜角度被定义为如相对于竖直于所述空白空间的底部的线所测量的,每一侧壁部分的内表面的角度,其中倾斜角度为零表示完全竖直并且倾斜角度为正值表示向内倾斜,其中所述改进包含:在步骤(i)中,使在深度方向上具有不同膜应力的共形图案转移膜沉积作为所述图案转移膜,其中所述共形图案转移膜的下半部具有第一膜应力,并且所述共形图案转移膜的上半部具有第二膜应力,其中所述第一膜应力比所述第二膜应力更加压缩,由此在步骤(iii)中,所述间隔物以小于所述第一倾斜角度的第二倾斜角度朝向所述空白空间向内倾斜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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