[发明专利]一种倒装红光LED芯片结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811453128.8 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109524527A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 郝锐;易翰翔;李玉珠;张洪安;武杰 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;郝传鑫 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种倒装红光LED芯片结构，包括衬底、设置于所述衬底的底面的导电层、设置于所述导电层的底面的P型外延层、设置于所述P型外延层的底面的发光区层、设置于所述发光区层的底面的N型外延层和设置于所述N型外延层的底面的N电极，所述导电层与所述P型外延层为层间结合的欧姆接触结构，所述导电层的底面的一侧还设置向下延伸的P电极。本发明通过设置导电层，并设置导电层与P型外延层合金为欧姆接触结构，使得P型外延层和P电极之间无需高温合金形成欧姆接触结构，避免高温对LED芯片结构的负面影响，提高LED芯片结构的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 导电层 欧姆接触 红光LED芯片 发光区层 衬底 倒装 层间结合 负面影响 高温合金 向下延伸 良品率 制备 合金 | ||
【主权项】：
1.一种倒装红光LED芯片结构，其特征在于，包括衬底、设置于所述衬底的底面的导电层、设置于所述导电层的底面的P型外延层、设置于所述P型外延层的底面的发光区层、设置于所述发光区层的底面的N型外延层和设置于所述N型外延层的底面的N电极，所述导电层与所述P型外延层为层间结合的欧姆接触结构，所述导电层的底面的一侧还设置向下延伸的P电极。
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