[发明专利]溅射方法有效
| 申请号： | 201811449421.7 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109868450B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 大熊崇文;末次大辅;平崎贵英 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的溅射方法是使靶材和气体反应而形成薄膜的反应性溅射方法，在产生等离子体时对来自直流电源的电流的波形进行脉冲化并施加于靶材来形成薄膜之际，着眼于薄膜形成工艺中的氮化工序，使用了根据氮自由基的存在时间而限制成膜条件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非晶氮化物薄膜的溅射方法，是使靶材和气体反应而形成薄膜的反应性溅射方法，包括：在产生等离子体时，对来自直流电源的电流的波形进行脉冲化；和将所述脉冲化后的电流施加于所述靶材，所述脉冲化后的电流的波形的脉冲频率为10kHz以上且50kHz以下，脉冲的一个周期中施加电压的期间的比例为0.1％以上且30％以下，并且未施加脉冲的期间为15微秒以上，溅射压力为0.1Pa以上且0.3Pa以下。
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