[发明专利]一种具有微结构增透膜的高压LED芯片

摘要

一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，包括U型板，U型板内设有具有微结构增透膜的高压LED芯片的主体，主体的底侧设有放置板，放置板的底侧与U型板的底部通过第二弹簧固定连接，U型板内壁的左侧与右侧分别铰接连接两个上下啮合配合的齿轮，下侧的齿轮的底侧分别固定连接支撑杆的一端，支撑杆的另一端分别与放置板的底侧接触配合，U型板内壁的左侧与右侧分别对应主体的P电极、N电极的高度固定连接横管的外端。本发明结构简单，能够实现高压LED芯片的快速安装与拆卸，便于高压LED芯片的更换，采用挤压接触配合的方式连接高压LED芯片的电极，避免采用焊接方式连接高压LED芯片的电极时，使高压LED芯片被高温烧坏。

主权项

1.一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，其特征在于：包括U型板（1），U型板（1）内设有具有微结构增透膜的高压LED芯片的主体（2），主体（2）的底侧设有放置板（3），放置板（3）的底侧与U型板（1）的底部通过第二弹簧（4）固定连接，U型板（1）内壁的左侧与右侧分别铰接连接两个上下啮合配合的齿轮（5），下侧的齿轮（5）的底侧分别固定连接支撑杆（6）的一端，支撑杆（6）的另一端分别与放置板（3）的底侧接触配合，U型板（1）内壁的左侧与右侧分别对应主体（2）的P电极、N电极的高度固定连接横管（7）的外端，横管（7）内活动安装横杆（8），横杆（8）的外端分别与对应的横管（7）的外端通过第一弹簧（16）固定连接，横管（7）的底部开设条形透槽（9），横杆（8）的底侧分别开设条形齿槽（10），上侧的齿轮（5）的上部分别位于对应的条形透槽（9）内与条形齿槽（10）啮合配合，横杆（8）底侧的内端分别与对应的P电极、N电极的顶侧接触配合。