[发明专利]填充方法在审
| 申请号： | 201811445042.0 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111244025A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 丁安邦;陈鹏;傅新宇;荣延栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种填充方法，包括以下步骤：沉积阶段，在待加工孔的整个内壁上沉积基层；第一钝化阶段，沉积第一钝化层，第一钝化层覆盖基层表面的位于待加工孔的第一预设深度以上的第一区域；填充阶段，向待加工孔中填充预设厚度的主体材料，预设厚度小于待加工孔的深度；刻蚀阶段，对在填充阶段沉积在待加工孔中的预设厚度上方的主体材料进行刻蚀；循环填充阶段和刻蚀阶段至少一次，且在主体材料完全填充待加工孔时停止循环。本发明提供的填充方法能够避免待加工孔内空洞的形成，从而提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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