[发明专利]具有根据存储设备容量利用编程的单元存储密度模式的存储设备在审
| 申请号： | 201811433157.8 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110058800A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | S·纳塔拉詹;R·加内桑 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G11C11/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种方法。该方法包括以较低密度存储模式对多个闪速存储器芯片的多位存储单元进行编程。该方法还包括在已经对多个闪速存储器芯片的至少25％的存储容量进行编程之后，以较高密度存储模式对多个闪速存储器芯片的多位存储单元进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 闪速存储器芯片 编程 多位存储单元 存储设备容量 低密度存储 高密度存储 存储容量 存储设备 单元存储 密度模式 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：存储设备，其包括控制器和多个闪速存储器芯片，所述多个闪速存储器芯片包括多位存储单元的三维堆栈，所述多位存储单元具有多种存储密度模式，所述控制器用于以较低密度存储模式对所述单元进行编程达到所述存储设备的存储容量阈值的至少25％，所述控制器用于一旦容量阈值被达到就以较高密度存储模式对所述单元进行编程。
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