[发明专利]一种制备碳氮化硅的方法

摘要

本发明提供了一种制备碳氮化硅的方法，将含硅固体原料和含碳固体原料混合，加料到电加热回转窑中，在保护气氛下在回转窑中，所述的硅原料依次经过预热、加热、降温过程(统称为加热过程)，然后出料，制备得到碳氮化硅。在所述的加热过程中，通过电源电极对处于所述的加热段中的所述的含硅固体原料和/或其在所述的加热过程中变化所得的物料(以下统称为物料)直接通电，通过物料料堆自身的电阻发热而加热物料，并且所述的物料在所述的电加热回转窑中经过的最高温度不低于1300℃。本发明的优点是热效率高、电耗低、产品一致性好、工艺稳定、生产能力大、同一套装置可以生产多种碳氮化硅产品。

主权项

1.一种制备碳氮化硅的方法，将含硅固体原料和含碳固体原料混合形成固体原料，加料到反应炉中加热，加热过程中所述的固体原料在保护气氛中反应合成碳氮化硅，其特征在于：所述的反应炉为：炉膛具有加热段的电加热回转窑 (以下称为直热式回转窑)，其中加热段设置有加热电源电极，通过该电极对处于加热段的被加热物料施加电压从而向被加热的物料馈入电流，利用在加热段堆积的被加热的物料的电阻发热加热被加热的物料；所述的加热过程为：在直热式回转窑中，所述的固体原料依次经过预热、加热、降温，然后出料；在所述的加热段中，通过电源电极对处于所述的加热段中的所述的固体原料和/或其在所述的加热过程中变化所得的物料(以下统称为物料)直接通电，通过处于加热段的物料料堆自身的电阻发热而加热物料，并且所述的物料在直热式回转窑中经过的最高温度不低于1300℃；所述的碳氮化硅具有形如SiCxNy的分子式或硅、碳、氮元素比例，其中0≤x≤2.2，0≤y≤4.4；所述的保护气氛的气压小于等于5MPa。