[发明专利]一种辐射探测用溴化铊室温半导体单晶的生长方法及设备有效
| 申请号： | 201811397346.4 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109750348B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 韩永飞;范凯;王明军 | 申请（专利权）人： | 北京滨松光子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100070 北京市丰台区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种辐射探测用溴化铊室温半导体单晶的生长方法及设备，包括上炉膛，隔热板，下炉膛，底托，支撑杆和石英坩埚，通过特殊的骤变温场结构及籽晶坩埚的设计，实现了大尺寸、高质量的晶体毛坯的生长，直径可达到64mm，晶片的能谱测试结果Cs‑137放射源的能量分辨率为1.87%，Co‑57放射源的能量分辨率为4.62%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 探测 用溴化铊 室温 半导体 生长 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.本发明提供了一种辐射探测用溴化铊室温半导体单晶的生长方法，具体方法如下。（1）将已加工并定向好的籽晶放入到籽晶柱中，将溴化铊原料装入直径30~70mm的石英坩埚中，其中石英坩埚已经过酸处理，有机溶剂清洗并在200℃温度下烘干。（2）将装料后的坩埚进行抽真空处理，当真空度达到10‑3Pa以下时，密封。（3）将密封好的石英坩埚装入到本发明的生长设备中，开始升温化料，通过控温调节使得上炉膛的温度为480~510℃，下炉膛的温度为390~410℃。（4）温度调整至指定温度后，开始以0.1~2mm/h的速度下降移动支撑杆，直到下降到晶体生长完成。（5）开始程序降温，待温度降到室温后，将石英坩埚取出，然后从坩埚中取出晶体毛坯。
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